[发明专利]一种实时检测晶片温度的方法及器件温度特性测量方法

摘要

本发明公开了一种实时检测晶片温度的方法，该方法通过在温控仪正常的情况下，选择所述温控仪测试温度范围内的若干个温度并测量每个温度相对于常温下显微镜的焦距差，利用上述若干个温度及其对应的焦距差作出焦距差与温度的标准曲线，改变温度后，只需判断改变后的温度及相应温度下的焦距差是否在所述焦距差与温度的标准曲线上或在容许的误差范围内，即可判断温控仪显示的温度是否正确，从而实现温度的实时检测；本发明还公开了一种器件温度特性测量方法，该方法在进行器件温度特性测量前都先对温度进行实时检测，从而避免了因温控仪故障造成显示温度与实际温度不一致而导致温度特性测量错误，增强了温度特性测量的可靠性。

主权项

一种实时检测半导体晶片温度的方法，用于在使用探针台测量半导体器件温度特性的过程中实时检测半导体晶片的温度，其中所述探针台包括晶片托盘、温控仪以及显微镜，其特征在于，该方法包括如下步骤：将所述半导体晶片固定到所述晶片托盘上；在所述温控仪处于正常情况下，选择所述温控仪测试温度范围内的若干个温度并测量每个温度相对于常温下显微镜的焦距差，利用上述若干个温度及其对应的焦距差作出焦距差与温度的标准曲线；设定所述半导体晶片的温度，利用所述温控仪将所述半导体晶片的温度控制到设定温度，并测量设定温度下相对于常温下显微镜的焦距差；检验所述设定温度对应的焦距差是否在所述焦距差与温度的标准曲线上，或者在容许的误差范围内；以及若所述设定温度对应的焦距差在所述焦距差与温度的标准曲线上或者在容许的误差范围内，进行后续程序。