[发明专利]将硅片调整至最佳焦平面的方法及其曝光装置有效
| 申请号： | 201010241655.X | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102346384A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 郑乐平;陈飞彪;顾鲜红 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/02 | 分类号： | G03F9/02;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种将硅片调整至最佳焦平面的方法及其曝光装置。将硅片调整至最佳焦平面的方法包括下述步骤。在预备阶段：投射裂缝型光斑至第一硅片的第一区域；检测自第一硅片的第一区域反射的第一反射光斑以产生第一误差值。在第一曝光阶段：投射裂缝型光斑至第一硅片的第一区域；检测自第一硅片的第一区域反射的第一光斑以产生第一光斑信号；根据第一光斑信号与第一误差值计算第一硅片的第一离焦位置；根据第一离焦位置将第一硅片调整至最佳焦平面。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 调整 最佳 平面 方法 及其 曝光 装置 | ||
【主权项】：
一种将硅片调整至最佳焦平面的方法，其特征是，包括下述步骤：在预备阶段：投射裂缝型光斑至第一硅片的第一区域；检测自上述第一硅片的上述第一区域反射的第一反射光斑以产生第一误差值；在第一曝光阶段：投射上述裂缝型光斑至上述第一硅片的上述第一区域；检测自上述第一硅片的上述第一区域反射的第一光斑以产生第一光斑信号；根据上述第一光斑信号与上述第一误差值计算上述第一硅片的第一离焦位置；以及根据上述第一离焦位置将上述第一硅片调整至最佳焦平面。
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