[发明专利]一种垂直结构氮化镓发光二极管芯片及其制造方法

摘要

本发明公开了一种垂直结构氮化镓发光二极管芯片及其制备方法，该方法首先外延生长缓冲层及垂直结构GaNLED外延片，然后剥离衬底，再制备导电增透层，最后制作焊线电极。该垂直结构氮化镓发光二极管芯片顺序包括：金属高反射导热层、P型GaN层、MQW发光层、N型GaN层、导电增透层和焊线电极；导电增透层包括顺序附着在N型GaN层一侧表面的ZnO成核层、ZnO主体层和圆冠纳米柱状ZnO层。采用本发明制备方法制备出的垂直结构氮化镓发光二极管芯片，除了能满足优良的导电和透明特性外，还能精准控制生长质量和控制形貌，获得更高的光学萃取效率以及外量子效率；此外，采用双性金属氧化物制作缓冲层，可大大降低后续剥离衬底的成本，能够获得更高良品率，以及更低的生产成本。

主权项

一种垂直结构氮化镓发光二极管芯片，顺序包括：金属高反射导热层、P型GaN层、MQW发光层、N型GaN层、导电增透层和焊线电极；所述导电增透层包括顺序附着在N型GaN层一侧表面的ZnO成核层和ZnO主体层，其特征在于，所述导电增透层还包括圆冠纳米柱状ZnO层，所述圆冠纳米柱状ZnO层附着在所述ZnO主体层外侧表面，位于ZnO主体层和焊线电极之间。