[发明专利]一种垂直结构氮化镓发光二极管的外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201010241754.8 | 申请日： | 2010-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN102255020A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王钢;王孟源;童存声;雷秀铮;江灏 | 申请（专利权）人： | 中山大学佛山研究院;佛山市中昊光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 | 代理人： | 赵彦雄 |
| 地址： | 528222 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直结构氮化镓发光二极管的外延片及其制造方法；该垂直结构氮化镓发光二极管的外延片包括衬底，以及顺序覆着在衬底一侧的ZnO缓冲层、GaN成核层、高温GaN层、N型GaN层、MQW发光层和P型GaN层；该制造方法包括如下步骤：选取衬底并在衬底上生长缓冲层、缓冲层预处理、生长GaN成核层、生长高温GaN层、多量子阱LED全结构的生长。采用了本发明技术方案的一种垂直结构氮化镓发光二极管的外延片及其制造方法，能够获得质量完美的GaN外延薄膜，因而提高了外延材料的质量；此外，ZnO缓冲层易被酸碱腐蚀而自剥离，可大大降低后续剥离衬底的成本，因而能够获得更高的良品率，以及更低的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 氮化 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直结构氮化镓发光二极管的外延片，包括衬底，以及顺序覆着在衬底一侧的GaN成核层、高温GaN层、N型GaN层、MQW发光层和P 型GaN层，其特征在于，所述衬底和GaN成核层之间还有ZnO缓冲层；所述ZnO缓冲层的厚度为50至5000nm；ZnO缓冲层的材料为未参杂的ZnO，或者掺入了金属Ga、Al、In中任意一种或者两种，或者Ga、Al、In三种的ZnO。
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