[发明专利]薄膜晶体管基底和用于薄膜晶体管基底的薄膜晶体管

摘要

薄膜晶体管(TFT)基底包括在相同基底上的第一和第二TFT。第一TFT具有这样的特征，从而在基底和第一绝缘层之间设有下导电层或底部栅极电极层，而在形成在位于第一绝缘层上的半导体层上的第二绝缘层上设有上导电层或顶部栅极电极层。第一导电层具有第一和第二区域，从而第一区域在不与半导体层重叠的情况下与所述第一导电层重叠，而第二区域与半导体层重叠，并且第一区域大于第二区域，而第二绝缘层比第一绝缘层更薄。除了没有栅极电极层之外，第二TFT具有与第一TFT相同的结构。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：形成在绝缘基底上的第一绝缘层；形成在所述第一绝缘层上的第一半导体层；形成在所述第一半导体层上的第二绝缘层；设置在所述绝缘基底和所述第一绝缘层之间的第一导电层；以及形成在所述第二绝缘层上的具有浮动状态的第二导电层，所述第二导电层包括第一区域和第二区域，从而所述第一区域为与所述第一半导体层重叠的顶部栅极电极区域，而所述第二区域为在没有与所述第一半导体层重叠的区域中与所述第一导电层重叠的电容耦合区域，并且使所述第二区域的尺寸比所述第一区域的尺寸更大，从而在所述第二导电层处的电位接近在所述第一导电层处的电位或大约为在所述第一导电层处的电位。