[发明专利]一种通过肖特基测试图形检测GaN基HEMT可靠性的方法无效
| 申请号： | 201010241994.8 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102346232A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 赵妙;王鑫华;刘新宇;郑英奎;欧阳思华;魏珂;李艳奎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01N27/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过肖特基测试图形检测GaN基HEMT可靠性的方法，该方法通过制作不同直径的肖特基阵列图形，对其进行变频和变电压的电容电压曲线的测量，通过缺陷同电容电压曲线的变化关系，分别确定器件的缺陷密度和时间常数，实现对GaN基HEMT可靠性的检测。本发明采用的是一种简易可操作的方法实现了对器件缺陷密度的检测，利于对器件进行相应的可靠性分析。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 肖特基 测试 图形 检测 gan hemt 可靠性 方法 | ||
【主权项】：
一种通过肖特基测试图形检测GaN基HEMT可靠性的方法，其特征在于，该方法通过制作不同直径的肖特基阵列图形，对其进行变频和变电压的电容电压曲线的测量，通过缺陷同电容电压曲线的变化关系，分别确定器件的缺陷密度和时间常数，实现对GaN基HEMT可靠性的检测。
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