[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 201010242298.9 | 申请日： | 2010-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN102347416A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 彭晖;闫春辉 | 申请（专利权）人： | 亚威朗光电(中国)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314305 浙江省海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的发光效率较高的LED发光二极管包括：透明的生长衬底、半导体外延层、透明的出光层、电极。其中，半导体外延层包括，N-类型限制层、活化层、P-类型限制层：N-类型限制层形成在生长衬底的主表面上，活化层形成在N-类型限制层上，P-类型限制层形成在活化层上。其特征在于：(1)透明的出光层形成在透明的生长衬底和半导体外延层的侧面；(2)出光层的侧表面形成微结构，提高出光效率，出光层侧表面的微结构的顶视形状是三角形或矩形或圆弧形或不规则形状；(3)出光层的折射率介于空气与透明的生长衬底和半导体外延层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一个发光二极管，包括：透明的生长衬底、半导体外延层、透明的出光层、电极；其中，所述的半导体外延层包括，N 类型限制层、活化层、P 类型限制层；其中，所述的N 类型限制层形成在所述的透明的生长衬底的主表面上，所述的活化层形成在所述的N 类型限制层上，所述的P 类型限制层形成在所述的活化层上；所述的电极分别形成在所述的N 类型限制层和所述的P 类型限制层上；其特征在于：所述的出光层形成在所述的生长衬底和所述的半导体外延层的侧面；所述的出光层的侧表面形成微结构。
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