[发明专利]利用光栅实现锁相的半导体激光器

摘要

本发明涉及半导体激光器装置，特别是利用光栅实现锁相的半导体激光器，包括n面电极、衬底、缓冲层、下包层、下波导层、有源层、上波导层、上包层、接触层和p面电极，其内部长有沿y方向周期性变化的光栅，该光栅是部分刻槽的有源层和上波导层契合组成的周期结构或者是部分刻槽的有源层和下波导层契合组成的周期结构或者是部分刻槽的上波导层和上包层契合组成的周期结构或者是有部分刻槽的下波导层和下包层契合组成的周期结构或者是部分刻槽的接触层和镀在接触层上的p面电极组成的金属光栅。本发明利用光栅能控制模式使侧向光场相位锁定，实现高功率、高光束质量出光的目的。

主权项

利用光栅实现锁相的半导体激光器，包括n面电极(1)，衬底(2)、缓冲层(3)、下包层(4)、下波导层(5)、有源层(6)、上波导层(7)、上包层(9)、接触层(10)和p面电极(11)，衬底(2)上面依次长有缓冲层(3)、下包层(4)、下波导层(5)、有源层(6)、上波导层(7)、上包层(9)和接触层(10)，衬底(2)下面镀有n面电极(1)，其特征在于，该半导体激光器内部还长有沿y方向周期性变化的光栅(8)，所说的光栅(8)是由部分刻槽的有源层(6)和上波导层(7)契合组成的周期结构，或者是由部分刻槽的有源层(6)和下波导层(5)契合组成的周期结构，或者是由部分刻槽的上波导层(7)和上包层(9)契合组成的周期结构，或者是由部分刻槽的下波导层(5)和下包层(4)契合组成的周期结构，或者是由部分刻槽的接触层(10)和镀在接触层上的p面电极(11)组成的金属光栅。