[发明专利]一种电阻型存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201010242549.3 | 申请日： | 2010-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN102347440A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;王明;宋雅丽 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻型存储器及其制备方法，属于存储器技术领域。该电阻型存储器包括下电极、第一金属材料的上电极以及置于所述上电极和下电极之间的基于第二金属材料的金属氧化物存储介质层，所述第一金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值大于所述第二金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值，所述上电极在接触所述金属氧化物存储介质层的界面处、被部分氧化形成第一金属的金属氧化物层。该电阻型储器具有擦写次数多、初始电阻以及关态电阻（高阻态）高、高低阻窗口大、数据保持能力好的优点，大大提高了电阻型存储器的存储器性能；并且其制备方法相对简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻型存储器，包括下电极、第一金属材料的上电极以及置于所述上电极和下电极之间的基于第二金属材料的金属氧化物存储介质层，其特征在于，所述第一金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值大于所述第二金属材料的金属氧化物的吉布斯自由能绝对值，所述上电极在接触所述金属氧化物存储介质层的界面处、被部分氧化形成第一金属的金属氧化物层。
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