[发明专利]去除光刻胶的方法与装置有效
| 申请号： | 201010242760.5 | 申请日： | 2010-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101943868A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 陈波 | 申请（专利权）人： | 无锡科硅电子技术有限公司;陈波 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 无锡华源专利事务所 32228 | 代理人： | 聂汉钦 |
| 地址： | 214072 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了去除光刻胶的方法及装置，其优点是能除净光刻胶及其表面的钝化层，属于半导体制造领域，其方法包括如下步骤：a.分别加热硫酸、双氧水达到60～90℃，同时加热去离子水达到70～100℃；b.将步骤a中所述的三种化学溶液混合，并等待其温度达到120～170℃；c.将步骤b所得的混合溶液进行微波加热至200℃以上；d.将步骤c所得的高温溶液喷洒至需要去除光刻胶的基体的表面。前述装置包括硫酸加热单元、去离子水加热单元、双氧水加热单元，三个加热单元连接同一个混合罐，混合罐连接微波加热单元，微波加热单元连接除胶装置，硫酸加热单元以及双氧水加热单元为由加热器、过滤器以及储罐构成的循环加热系统。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 光刻 方法 装置 | ||
【主权项】：
去除光刻胶的方法，其特征在于包括如下步骤：a.分别加热硫酸、双氧水达到60～90℃，同时加热去离子水达到70～100℃；b.将步骤a中所述的三种化学溶液混合，并等待其温度达到120～170℃；c.将步骤b所得的混合溶液进行微波加热至200℃以上；d.将步骤c所得的高温溶液喷洒至需要去除光刻胶的基体的表面。
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