[发明专利]MEMS器件

摘要

本发明提供一种MEMS器件，该MEMS器件可以减少MEMS结构体和半导体基板之间的寄生电容。MEMS器件(1)具备MEMS结构体(30)，该MEMS结构体(30)具有隔着绝缘层形成在半导体基板(10)上的固定电极20和可动电极(26)，在固定电极(20)的下方的半导体基板(10)上形成有阱(13)，当固定电极(20)被施加正的电压时，阱(13)是p型阱。另外，对阱(13)施加电压以使阱(13)成为耗尽状态。该电压为使阱(13)维持耗尽状态的电压。

主权项

一种MEMS器件，该MEMS器件具备半导体基板和MEMS结构体，该MEMS结构体具有隔着绝缘层形成在上述半导体基板上的固定电极和可动电极，其特征在于，上述固定电极具有输入侧电极和输出侧电极，在上述输入侧电极的下方的上述半导体基板上形成有阱，该阱为p型阱和n型阱之一，在对上述输入侧电极施加正电压的情况下，上述阱为p型阱；在对上述输入侧电极施加负电压的情况下，上述阱为n型阱，上述可动电极的从上述输入侧电极立起的部分被上述输入侧电极保持。