[发明专利]GaN单晶衬底、基于GaN的半导体器件及它们的制造方法有效
| 申请号： | 201010243313.1 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102011191A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 藤原伸介;上松康二;长田英树;中畑成二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供GaN单晶衬底、基于GaN的半导体器件及它们的制造方法。所述GaN单晶衬底具有面积为10cm2以上的主面，所述主面具有相对于(0001)面和(000-1)面中的一个面以65°～85°倾斜的面取向，所述衬底具有在所述主面中载流子浓度基本均匀分布、在所述主面中位错密度基本均匀分布和光弹性变形值不超过5×10-5中的至少一种特性，所述光弹性变形值通过在25℃环境温度下在垂直于所述主面施加光时在所述主面中任意点处的光弹性测得。因此，能够获得GaN单晶衬底，所述GaN单晶衬底适用于制造具有小的特性偏差的基于GaN的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | gan 衬底 基于 半导体器件 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN单晶衬底，其具有面积为10cm2以上的主面，所述主面具有相对于(0001)面和(000‑1)面中的一个面以65°～85°倾斜的面取向，所述衬底具有在所述主面中载流子浓度基本均匀分布、在所述主面中位错密度基本均匀分布和光弹性变形值为5×10‑5以下中的至少一种特性，所述光弹性变形值通过在25℃环境温度下在垂直于所述主面施加光时在所述主面中的任意点处的光弹性测得。
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