[发明专利]X8R特性片式多层陶瓷电容器的制备方法

摘要

本发明公开了一种X8R特性片式多层陶瓷电容器的制备方法，包括瓷浆制备、制作介质膜片、交替叠印内电极和介质层、切割、排胶、烧结、封端、烧端，其中所用的钛酸钡结构瓷料中除主要成分BaTiO3外，还包括0.1-5wt％的次要成分；内电极材料是镍内电极材料；端电极材料是铜端电极材料；烧结温度为1220℃～1300℃，由升温段、高温烧成段、降温段、回火段组成。本发明采用贱金属体系材料替代昂贵的钯银体系材料制作，性能达到钯银体系X8R产品水平，产品上限使用温度高达+150℃，-55℃～+150℃温度范围内容量变化率≤±15％，具有高可靠性，可有效替代钯银体系X8R产品，大大降低了生产成本，并节约了稀缺贵金属资源，而且产品可生产的容量范围比采用钯银体系材料更广。

主权项

一种X8R特性片式多层陶瓷电容器的制备方法，包括瓷浆制备、制作介质膜片、交替叠印内电极和介质层、切割、排胶、烧结、封端、烧端，其特征在于： 所述的瓷浆制备步骤中，所用的钛酸钡结构瓷料中除主要成分BaTiO3外，还包括次要成分为0.1 5wt％的Ca、Mg、Ce、La、Si、Y、Zr、Er、Ni、Nb氧化物中一种或两种以上混合，所用的溶剂是甲苯与无水乙醇重量比为0.5～2∶1的混合溶剂； 所述的交替叠印内电极和介质层步骤中，内电极材料是镍内电极材料； 所述的封端步骤中，端电极材料是铜端电极材料； 所述的烧结步骤中，烧结温度为1220℃～1300℃，由升温段、高温烧成段、降温段、回火段组成，其中的回火段在含O2的N2气氛保护下进行的，O2的体积含量是10ppm～100ppm，回火温度和时间是800℃ 1050℃/2～3小时。