[发明专利]基板处理装置无效
申请号: | 201010243656.8 | 申请日: | 2003-04-04 |
公开(公告)号: | CN101985747A | 公开(公告)日: | 2011-03-16 |
发明(设计)人: | 绀谷忠司;丰田一行;佐藤武敏;加贺谷徹;嶋信人;石丸信雄;境正宪;奥田和幸;八木泰志;渡边诚治;国井泰夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 崔成哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种基板处理装置,其特征在于包括:反应容器,其中容纳并叠层有多个基板;上述反应容器中设置有一对电极,上述电极沿上述多个基板的叠层方向延伸,和高频电源提供给上述电极;电极室,容纳上述电极,上述电极室设置在上述反应容器中;和供气件,将处理气体提供给上述电极室,上述供气件包括多个供气口,其中,利用两种以上的处理气体在基板上形成膜。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于包括:反应容器,其中容纳并叠层有多个基板;上述反应容器中设置有一对电极,上述电极沿上述多个基板的叠层方向延伸,和高频电源提供给上述电极;电极室,容纳上述电极,上述电极室设置在上述反应容器中;和供气件,将处理气体提供给上述电极室,上述供气件包括多个供气口,其中,利用两种以上的处理气体在基板上形成膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立国际电气,未经株式会社日立国际电气许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010243656.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:串吊晒衣架
- 下一篇:具有金刚烷骨架的胺类和季铵盐的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的