[发明专利]晶体管与其制法有效
| 申请号： | 201010243664.2 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101989616A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 郑振辉;宋学昌;陈冠宇;林宪信;冯家馨 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶体管与其制法。此晶体管包括：一栅极电极，设置于一基材之上；以及至少一复合应力结构，设置于该栅极电极下方的沟道旁，其中复合应力结构包括：一第一应力区域，位于基材中；以及一第二应力区域，设于第一应力区域之上，且至少一部分的第二应力区域设置于基材中。本发明提供的晶体管具有复合应力结构，可提供晶体管的沟道所需的压缩或伸张应力，增加了晶体管的电性表现。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 与其 制法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：一栅极电极，设置于一基材之上；以及至少一复合应力结构，设置该栅极电极下方的一沟道旁，其中该复合应力结构包括：一第一应力区域，位于该基材中；以及一第二应力区域，设置于该第一应力区域之上，且至少一部分的第二应力区域设置于该基材中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010243664.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：有机电致发光元件
- 下一篇：基于服务的双向语音服务记录和登录
- 同类专利
- 专利分类
