[发明专利]相变化材料降低重新结晶时间的方法有效
| 申请号： | 201010243796.5 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102082227A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 郑怀瑜;西蒙·拉梧 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种于一存储单元装置工艺中降低使用于一存储单元元件的相变化材料重新结晶时间的方法。该方法包含选取一相变化材料、一缓冲层材料及一包覆层材料。沉积该缓冲层材料于一衬底上至一缓冲层材料厚度，沉积该相变化材料于该缓冲层材料之上至一相变化材料厚度，在某些范例中最好小于30纳米而更好是小于10纳米。沉积该包覆层材料于该相变化材料之上至一包覆层材料厚度以形成一存储单元元件。决定该存储单元元件中该相变化材料的该重新结晶时间。假如该决定的重新结晶时间不小于一段时间X，改变所选取的材料或厚度至少一者后重复上述步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 材料 降低 重新 结晶 时间 方法 | ||
【主权项】：
一种于一存储单元装置工艺中降低使用于一存储单元元件的相变化材料重新结晶时间的方法，其特征在于，该方法包含：a、选取一相变化材料；b、选取一缓冲层材料；c、选取一包覆层材料；d、沉积该缓冲层材料于一衬底上至一缓冲层材料厚度；e、沉积该相变化材料于该缓冲层材料之上至一相变化材料厚度；f、沉积该包覆层材料于该相变化材料之上至一包覆层材料厚度以形成一存储单元元件；g、决定该存储单元元件中该相变化材料的该重新结晶时间；以及h、假如该决定的重新结晶时间不小于一段时间X，改变所选取的材料或厚度至少一者后重复步骤a至h。
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