[发明专利]制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201010243831.3 | 申请日： | 2010-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN102194681A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 周汉源;朱鸣;张立伟;庄学理;陈意仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造半导体装置的方法。该方法包含：提供一半导体基底；形成一栅极结构于该基底之上，其中该栅极结构包含一虚置栅极；由该栅极结构移除该虚置栅极以形成一沟槽；形成一功函数金属层部分填入该沟槽；形成一填充金属层以填满该沟槽的剩余部分；进行一化学机械研磨(CMP)以移除在该沟槽之外的该填充金属层；以及，注入硅、碳、及锗之一于该填充金属层的剩余部分。本发明能够改善金属栅极的热及形态的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，包含：提供一半导体基底；形成一栅极结构于该基底之上，其中该栅极结构包含一虚置栅极；由该栅极结构移除该虚置栅极以形成一沟槽；形成一功函数金属层部分填入该沟槽；形成一填充金属层以填满该沟槽的剩余部分；进行一化学机械研磨以移除在该沟槽之外的该填充金属层；以及注入硅、碳、及锗之一于该填充金属层的剩余部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
