[发明专利]半导体发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010244087.9 | 申请日： | 2010-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101997072A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 平尾直树;渡边秋彦 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光装置及其制造方法。半导体发光装置包括发光部，以及在发光部上形成的电极。该电极包括：光反射层，被配置为反射从发光部所发出的光并且包括第一金属；第一籽晶层，直接形成在光反射层上并且包括第二金属；第二籽晶层，至少涂覆光反射层和第一籽晶层的侧表面，第二籽晶层包括第三金属；以及电镀层，至少涂覆第二籽晶层的顶部表面和侧表面，电镀层包括第四金属。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光装置，包括：发光部；以及电极，在所述发光部上形成，所述电极包括：光反射层，被配置为反射从所述发光部所发出的光，并且包括第一金属，第一籽晶层，直接形成在所述光反射层上，并且包括第二金属，第二籽晶层，至少涂覆所述光反射层和所述第一籽晶层的侧表面，所述第二籽晶层包括第三金属，以及电镀层，至少涂覆所述第二籽晶层的顶部表面和侧表面，所述电镀层包括第四金属。
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