[发明专利]控制在记录磁头中写入极高度的方法和装置有效
| 申请号： | 201010245181.6 | 申请日： | 2010-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101989433A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | E·F·瑞贾德;尹华清;M·P·荣少根 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127;G11B5/31 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 茅翊忞 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供用于数据存储系统的记录磁头。记录磁头说明性地包括写入极、缓冲器、电介质层和表面。在一些实施例中，表面的一部分包括写入极、缓冲器和电介质层的部分。写入极、缓冲器和电介质层说明性地由具有抛光速率的材料制成。在一些实施例中，比起与电介质层材料的抛光速率，写入极材料的抛光速率与缓冲器材料的抛光速率更接近。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 记录 磁头 写入 极高 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于数据存储系统的记录磁头，所述记录磁头包括：写入极；缓冲器；电介质层；表面，其中，所述表面的至少一部分包括所述写入极的一部分、所述缓冲器的一部分以及所述电介质层的一部分；其中，所述写入极、所述缓冲器和所述电介质层各由具有抛光速率的材料制成；以及其中，比起与所述电介质层材料的所述抛光速率，所述写入极材料的所述抛光速率与所述缓冲器材料的所述抛光速率更接近。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于希捷科技有限公司，未经希捷科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010245181.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热电模块和光发送装置
- 下一篇：信号采集设备
