[发明专利]一种金属栅极的形成方法有效
| 申请号： | 201010245296.5 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102347227A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 张翼英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属栅极的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有牺牲层；刻蚀所述牺牲层，形成具有倾斜侧壁的锥形沟槽，所述沟槽开口宽度大于底部宽度；采用填充物质填充所述沟槽，形成伪栅电极层；去除所述牺牲层；在所述伪栅电极层表面形成侧墙，并以所述侧墙为掩膜，对所述基底进行离子注入；在所述基底上沉积层间介质层，并以所述伪栅电极层为停止层，对所述层间介质层进行平坦化；去除所述伪栅电极层，对去除伪栅电极层后的沟槽依次填充介质和金属，形成金属栅极，所述金属栅极包括栅极介质层和金属栅电极层。本发明通过形成底部小，开口大、具有倾斜侧壁的锥形沟槽，避免了填充物质后金属栅极产生空隙，提高金属栅极的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 栅极 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有牺牲层；刻蚀所述牺牲层，形成具有倾斜侧壁的锥形沟槽，所述沟槽开口宽度大于底部宽度；采用填充物质填充所述沟槽，形成伪栅电极层；去除所述牺牲层；在所述伪栅电极层两侧形成侧墙，并以所述侧墙为掩膜，对所述基底进行离子注入；在所述基底上沉积层间介质层，并以所述伪栅电极层为停止层，对所述层间介质层进行平坦化；去除所述伪栅电极层，对去除伪栅电极层后的沟槽依次填充介质和金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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