[发明专利]磁阻存储器的形成方法无效
| 申请号： | 201010245307.X | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102347439A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 倪景华;李凤莲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种磁阻存储器的形成方法，包括：提供基底，所述基底上依次形成有底电极和磁隧道结层；形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述磁隧道结层；在所述第一介质层中形成开口，所述开口定义出磁隧道结的图形；在所述开口中形成第二介质层，所述第二介质层的表面与所述第一介质层的表面齐平，所述第二介质层的材料不同于所述第一介质层；刻蚀去除所述第一介质层；以所述第二介质层为掩膜对所述磁隧道结层进行刻蚀，形成磁隧道结。本发明改善了磁隧道结的形貌，提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种磁阻存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上依次形成有底电极和磁隧道结层；形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述磁隧道结层；在所述第一介质层中形成开口，所述开口定义出磁隧道结的图形，所述开口底部暴露出所述磁隧道结层；在所述开口中形成第二介质层，所述第二介质层的表面与所述第一介质层的表面齐平，所述第二介质层的材料不同于所述第一介质层；刻蚀去除所述第一介质层；以所述第二介质层为掩膜对所述磁隧道结层进行刻蚀，形成磁隧道结。
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