[发明专利]一种制作相变存储器件结构的方法无效
| 申请号： | 201010245459.X | 申请日： | 2010-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102347442A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制作相变存储器件结构的方法，包括提供具有导电插塞的前端器件结构，导电插塞的上表面在前端器件结构的顶面露出，在前端器件结构的顶面和导电插塞的上表面形成底部电极材料层，在底部电极材料层的上表面形成牺牲层；对底部电极材料层进行刻蚀或者先刻蚀再氧化以形成底部电极且位于导电插塞的正上方；在前端器件结构的表面形成绝缘层，绝缘层包围底部电极和牺牲层且露出牺牲层的上表面；在去除牺牲层后留下的空位处形成相变层，相变层的顶部与绝缘层的顶部齐平。根据本发明可通过制作小尺寸的底部电极来减小底部电极与相变层的接触面积，从而获得良好的加热效果以较容易地发生晶态的转变，最终提高相变存储器的读写速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 相变 存储 器件 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制作相变存储器件结构的方法，包括：(a)提供前端器件结构，所述前端器件结构中具有至少一个导电插塞，所述导电插塞的上表面在所述前端器件结构的顶面露出，在所述前端器件结构的顶面和所述导电插塞的上表面形成底部电极材料层，在所述底部电极材料层的上表面形成牺牲层；(b)对所述底部电极材料层进行刻蚀或者先刻蚀再氧化以形成底部电极，所述底部电极位于所述导电插塞的正上方；(c)在所述前端器件结构的表面形成绝缘层，所述绝缘层包围所述底部电极和所述牺牲层且露出所述牺牲层的上表面；(d)去除所述牺牲层；(e)在去除所述牺牲层后留下的空位处形成相变层，所述相变层的顶部与所述绝缘层的顶部齐平。
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