[发明专利]阵列基板及其制造方法、液晶面板无效
申请号: | 201010245712.1 | 申请日: | 2010-08-04 |
公开(公告)号: | CN102347327A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 秦纬 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1368;G02F1/1362;G02F1/133 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了阵列基板及其制造方法、液晶面板。该阵列基板包括:交叉形成在基板上的栅线和数据线,栅线和数据线限定的像素单元内设置有像素电极和作为像素电极开关的第一薄膜晶体管;控制位于同行的多个像素电极工作的第一栅线之前的第二栅线连接有第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管的第二栅极与所述第二栅线连接,所述第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极分别与所述位于同行的多个像素电极中相邻的两个像素电极连接,且每个像素电极仅与一个第二薄膜晶体管连接。本发明技术方案可通过第二薄膜晶体管将相邻两像素电极的电荷进行中和,对像素电极预充电,可有效降低液晶显示器的能耗。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 液晶面板 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括:交叉形成在基板上的栅线和数据线,栅线和数据线限定的像素单元内设置有像素电极和作为像素电极开关的第一薄膜晶体管;其特征在于,控制位于同行的多个像素电极工作的第一栅线之前的第二栅线连接有第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管的第二栅极与所述第二栅线连接,所述第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极分别与所述位于同行的多个像素电极中相邻的两个像素电极连接,且每个像素电极仅与一个第二薄膜晶体管连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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