[发明专利]减少炉管中薄膜生长的负载效应的方法

摘要

本发明公开了一种减少炉管中薄膜生长的负载效应的方法，在进行薄膜生长之前，包括如下步骤：1)分别计算出程序相同的每个芯片的负载效应数值；2)将所计算出负载效应数值小于等于170％的芯片，安排进行同时作业；3)对负载效应数值大于170％的芯片，比较两个芯片之间的负载效应的差值，当差值小于30％时，安排这两个芯片进行同时作业；4)其它情况一律分开作业。采用本发明的表征方法，可用来对同批次的产品进行分类作业，达到兼顾产能和膜厚偏差的效果。本发明还包括一种减少炉管中薄膜生长的负载效应的方法。

主权项

一种减少炉管中薄膜生长的负载效应的方法，其特征在于，在薄膜生长之前，包括如下步骤：1)分别计算程序相同的每个芯片的负载效应数值，计算公式为R＝(P*H*O+S1)/S1；O＝V2/V1，其中P为芯片中成膜前台阶的周长，H为成膜前台阶高度，S1为芯片面积，V1为芯片中正面的成膜速率，V2为芯片中台阶侧面的成膜速率，O为芯片的侧面与正面的成膜速率之比；2)将所计算出的负载效应数值小于等于170％的芯片，安排进行同时作业；3)对于负载效应数值大于170％的芯片，比较任意两个芯片之间负载效应数值的差值，当差值小于30％时，安排进行同时作业；4)对属于其它情况的芯片，一律分开作业。