[发明专利]一种功率MOSFET器件及其制造方法

摘要

本发明涉及的功率MOSFET器件，能在同一个接触沟道中不同部位选择性沉积不同功函数的导电材料，从而形成不同部位各自优化的金属-半导体接触特性：在接触沟道的侧壁和底部角沉积导电材料与P-型重掺杂的体区接触形成欧姆结；在接触沟道的底部中间区域沉积另一导电材料与轻掺杂的N-型外延层接触形成肖特基结，以分别保证发挥器件性能所要求的欧姆结电阻小和良好肖特基结整流特性。同时，使P-型重掺杂的硅包围导接触沟道的底部角落，形成N-P-M结构因而有效降低接触沟道角落处的聚集漏电流。本发明还提出实现上述器件的工艺方法，即通过构造接触沟道侧面间隔层工艺，制备接触沟道底部和侧壁不同金属接触，优化参杂离子的空间分布。

主权项

一种功率MOSFET器件，包含：设置在底部衬底(10)上的外延层(20)；形成于外延层(20)中的沟槽(30)内的沟槽栅极(31)；形成在外延层(20)的顶部部分，且围绕沟槽栅极(31)的体区(40)；形成在体区(40)顶部部分的源极区域(45)；形成在沟槽栅极(31)和源极区域(45)顶部表面上的介电层(50)；若干贯穿介电层(50)、源极区域(45)形成的接触沟道(60)；其特征在于，所述接触沟道(60)底部终止于体区(40)，使所述接触沟道(60)的底部角落被所述体区(40)包围；还包含形成在接触沟道(60)下方中间的体区(40)中、与外延层(20)连接的漂移区(25)；形成在所述接触沟道(60)的底部中间区域的肖特基结(71)；形成在接触沟道(60)的侧壁和其底部角落表面上的欧姆结(72)。