[发明专利]堆叠装置的制造方法及装置晶片处理方法有效
申请号: | 201010246686.4 | 申请日: | 2010-08-04 |
公开(公告)号: | CN102163559A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 吴文进;邱文智;眭晓林 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/98 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭示一种堆叠装置的制造方法及装置晶片处理方法,该堆叠装置的制造方法包括经由第一粘着层及第二粘着层而将一晶片接合至一承载板,其中晶片与承载板的边缘区被第一粘着层覆盖,但未被第二粘着层覆盖。进行晶片边缘清洁工艺,以去除邻近晶片边缘的第一粘着层而露出承载板的边缘区,接着自承载板处去除第二粘着层。自晶片卸离承载板之后,去除余留在晶片上的第一粘着层。本发明容易在不发生损害的情形下自薄化的装置晶片卸离承载板。 | ||
搜索关键词: | 堆叠 装置 制造 方法 晶片 处理 | ||
【主权项】:
一种堆叠装置的制造方法,包括:提供一晶片,其具有一第一表面及与其相对的一第二表面,其中该第一表面上涂覆了一第一粘着层;提供涂覆了一第二粘着层的一承载板,而露出该承载板的一边缘区;经由该第一粘着层及该第二粘着层将该晶片的该第一表面接合至该承载板,其中该承载版的该边缘区被该第一粘着层覆盖;自该第二表面薄化该晶片,以形成一薄化的晶片;将多个裸片接合至该薄化的晶片上;去除邻近于该薄化的晶片边缘的该第一粘着层,而露出该承载板的该边缘区以及邻近于该承载板的该边缘区的该第二粘着层;施加一光能或热能,以分解该第二粘着层;自该晶片卸离该承载板;以及去除余留于该晶片的该第一表面上的该第一粘着层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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