[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201010246753.2 | 申请日: | 2010-08-04 |
公开(公告)号: | CN101997003A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;坂田淳一郎;坂仓真之;及川欣聪;冈崎健一;丸山穗高 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L21/31 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的课题之一是提高半导体装置的可靠性。本发明的一种方式是一种半导体装置,包括同一个衬底上的驱动电路部、显示部(也称为像素部),驱动电路部和显示部包括其半导体层使用氧化物半导体构成的薄膜晶体管、第一布线、第二布线,并且,薄膜晶体管包括与半导体层的边缘部相比其边缘部位于内侧的源电极层或漏电极层,并且,在驱动电路部中的薄膜晶体管中,利用栅电极层和导电层夹持半导体层,并且,第一布线和第二布线通过设置在栅极绝缘层中的开口中隔着氧化物导电层电连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:同一个衬底上的包括第一薄膜晶体管的驱动电路部、包括第二薄膜晶体管的像素部,所述第一薄膜晶体管及所述第二薄膜晶体管分别包括:衬底上的栅电极层;所述栅电极层上的栅极绝缘层;所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层,所述氧化物半导体层重叠于所述栅电极层;所述氧化物半导体层上的第一导电层,所述第一导电层与所述氧化物半导体层电连接;所述氧化物半导体层上的第二导电层,所述第二导电层与所述氧化物半导体层电连接;所述氧化物半导体层、所述第一导电层和所述第二导电层上的氧化物绝缘层,所述氧化物绝缘层接触于所述氧化物半导体层的端部的第一上表面以及所述第一导电层和所述第二导电层之间的所述氧化物半导体层的第二上表面;所述氧化物绝缘层上的像素电极层;以及所述像素电极层上的液晶层,其中,所述第一薄膜晶体管还包括重叠于所述氧化物绝缘层上的所述氧化物半导体层的第三导电层,并且,所述第二薄膜晶体管的所述第二导电层与所述像素电极层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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