[发明专利]一种高压功率半导体器件的边缘终端结构无效
| 申请号： | 201010246809.4 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101969068A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 胡佳贤;韩雁;张世峰;张斌 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压功率半导体器件的边缘终端结构，包括若干个将功率半导体器件环绕、与衬底具有相反导电类型的场限环，在每个场限环单侧或两侧设有与场限环导电类型相同，掺杂浓度小于场限环的掺杂区域，场限环上覆有场板，场限环与场板之间用二氧化硅层间隔。场板的材料可选自铜、铝、多晶硅或掺氧多晶硅等。由于在传统场限环的周围增加了浓度更低的掺杂区域可有效减小了边缘元胞电场线的密集程度，降低了边缘元胞承受的电场强度，使击穿电压得到提高，有效提高边缘终端结构的面积效率，节省了芯片面积，缩减了芯片成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 功率 半导体器件 边缘 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种高压功率半导体器件的边缘终端结构，包括若干个将功率半导体器件环绕、与衬底具有相反导电类型的场限环，其特征在于，在场限环单侧或两侧设有与场限环导电类型相同，掺杂浓度小于场限环的掺杂区域。
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