[发明专利]一种低阻高TCR非晶硅薄膜电阻及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低阻高TCR非晶硅薄膜电阻结构及其制备方法，包括玻璃衬底1、非晶硅薄膜2、矩形电极3，先在玻璃衬底1上沉积非晶硅薄膜2，随后在非晶硅薄膜2上制备矩形电极3，电极结构分布如同形成形状像两只手的手指交叉状，即叉指状，形成一个叉指电极。本发明有益效果在于：在具有高电阻温度系数(TCR)和较高室温方块电阻的非晶硅薄膜上，利用这种叉指电极结构，可以方便地控制电极自身电阻的大小，使其等效输出电阻值明显降低，进而使具有叉指状电极的非晶硅薄膜的总体输出电阻值变小，但TCR保持不变，具有较高值，从而有效地达到低阻高TCR非晶硅薄膜电阻结构及其制备方法的实现。

主权项

一种低阻高TCR非晶硅薄膜电阻，包括玻璃衬底(1)、非晶硅薄膜(2)、金属电极(3)；所述非晶硅薄膜(2)由薄膜沉积工艺沉积于玻璃衬底(1)上；所述金属电极(3)由薄膜沉积工艺沉积于非晶硅薄膜(2)上；其特征在于，所述金属电极(3)为一对叉指电极。