[发明专利]NandFlash存储器中数据存储方法无效
申请号: | 201010247594.8 | 申请日: | 2010-08-06 |
公开(公告)号: | CN101908023A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 廖福成 | 申请(专利权)人: | 四川长虹电器股份有限公司 |
主分类号: | G06F12/06 | 分类号: | G06F12/06 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人: | 李顺德 |
地址: | 621000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及Flash存储技术,针对传统技术中在NandFlash存储器中数据存储可靠性低的缺陷,本发明公开了一种具有高可靠性的在NandFlash存储器中数据存储方法。其技术方案的要点可概括为:通过对NandFlash存储空间进行划分,划分为可用空间、备份空间及索引空间,当检测到可用空间中的某个数据块为坏块时,通过搜索索引空间记录,在备份空间中寻找其对应数据块来进行读写,而如果没有对应的数据块则需要将备份空间中第一个未使用的临界状态数据块作为其对应数据块,并在索引空间中新建对应关系。本发明的有益效果是:在NandFlash存储器中实现可靠数据存储,提高存储空间利用率。 | ||
搜索关键词: | nandflash 存储器 数据 存储 方法 | ||
【主权项】:
NandFlash存储器中数据存储方法,其特征在于:包括以下步骤:a.划分NandFlash存储空间,分为可用空间、备份空间及索引空间,可用空间用以存储操作系统中文件的数据块,备份空间用以转存储临界状态的数据块,索引空间用以存储可用空间数据块与备份空间数据块的对应关系的记录表;b.当需要对可用空间内某一地址进行读、写操作时,首先判断该地址对应的数据块A是否为坏块,是则执行步骤e,否则对其进行读、写操作,并执行步骤c;c.判断读、写操作中是否存在出错情况,是则执行步骤d,否则,成功返回,不执行后续步骤;d.将数据块A标注为“坏块”,并执行步骤h;e.搜索索引空间中的记录表,判断是否存在数据块A的记录,如果有记录则执行步骤f,否则执行步骤g;f.找到数据块A在备份空间中的对应数据块B,对数据块B进行读、写操作,并判断是否存在出错情况,是则将数据块B标注为“坏块”,并执行步骤h,否则,成功返回,不执行后续步骤;g.如果当前需要执行读操作,则出错返回,如果当前需要执行写操作,则执行步骤h;h.在备份空间中寻找第一个未被使用的临界状态的数据块C,对该数据块进行写操作,如果成功,则执行步骤i,如果出错,则将数据块C标注为“坏块”,返回步骤h;i.在索引空间的记录表中新增一条记录,记录数据块A与数据块C的对应关系。
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