[发明专利]一种换能器薄膜的制作方法无效
| 申请号： | 201010247775.0 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102378100A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李冬梅;刘明;谢常青;叶甜春;阎学锋;霍宗亮;龙世兵;张满红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H04R31/00 | 分类号： | H04R31/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种换能器薄膜的制作方法，该方法采用磁控共溅射或激光溅射方式将铝钛铬合金材料一次成膜，形成金属换能器。所述铝钛铬合金材料组成为金属钛为3％至10％，金属铬为1％至2％，其余为金属铝。利用本发明，采用磁控共溅射或激光溅射方式将铝钛铬合金材料一次成膜制作的换能器与传统的铝换能器相比，与常见的单晶基底附着力强，器件性能稳定，抗酸碱性能优越，器件图形完成后不需要再沉积保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 换能器 薄膜 制作方法 | ||
【主权项】：
一种换能器薄膜的制作方法，其特征在于，该方法采用磁控共溅射或激光溅射方式将铝钛铬合金材料一次成膜，形成金属换能器。
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