[发明专利]一种高选择性半导体薄膜的制作方法无效
| 申请号： | 201010247792.4 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102376890A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李冬梅;刘明;谢常青;叶甜春;阎学锋;霍宗亮;龙世兵;张满红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;G01N5/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高选择性半导体薄膜的制作方法，该方法是采用钛氰镍为敏感膜材料，氮-氮二甲基甲酰胺为自组装溶剂，在声表面波谐振器表面或表面波延迟线的传播路径上，采用自组装方法沉积钛氰镍薄膜。所述钛氰镍薄膜厚度随声表面波器件频率而变化，厚度范围在50nm至5000nm之间。本发明采用氮-氮二甲基甲酰胺作为自组装溶剂，自组装的敏感膜通过热处理后对NO2具有强的敏感性和高的选择性。同时，提高了器件的可重复性及稳定性。另外，此方法成膜方式简单，薄膜稳定性高，非常易于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 半导体 薄膜 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高选择性半导体薄膜的制作方法，该方法是采用钛氰镍为敏感膜材料，氮‑氮二甲基甲酰胺为自组装溶剂，在声表面波谐振器表面或表面波延迟线的传播路径上，采用自组装方法沉积钛氰镍薄膜。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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