[发明专利]垂直二极管及其加工方法无效
| 申请号： | 201010248170.3 | 申请日： | 2010-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102376772A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种垂直二极管，包括：n型硅衬底；氧化硅凹槽；以及在所述氧化硅凹槽中，由下至上设置的：n型碳化硅层；p型多晶硅层；相变材料层。本发明还提供了一种垂直二极管的加工方法，按顺序包括以下步骤：成型出n型硅衬底，在该n型硅衬底上成型出氧化硅层，并在该氧化硅层中刻蚀出氧化硅凹槽；在氧化硅凹槽中的n型硅衬底上淀积出n型碳化硅层；在n型碳化硅层上淀积出p型多晶硅层；在p型多晶硅层上淀积出相变材料层。本发明的垂直二极管，利用n型硅衬底、n型碳化硅层、p型多晶硅层以及相变材料构成了漏电电流和电流效率性能更好的垂直二极管。本发明的垂直二极管的加工方法适合于上述垂直二极管的加工和制造。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 二极管 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直二极管，其特征在于，包括：n型硅衬底；氧化硅凹槽，所述氧化硅凹槽设置于所述n型硅衬底上方的氧化硅层中、垂直贯穿所述氧化硅层；以及在所述氧化硅凹槽中，由下至上设置有：n型碳化硅层；p型多晶硅层；相变材料层。
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