[发明专利]阵列式发光元件、光源产生装置和背光模块有效
| 申请号： | 201010249196.X | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102376833A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 谢明勋 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/48;G02F1/13357;F21V29/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列式发光元件、光源产生装置和背光模块。该阵列式发光元件包含基板以及位于基板之上的多个发光元件，其中每一发光元件包含第一半导体层，包含第一区域与第二区域；以及具有斜角的第二半导体层位于第二区域之上。发光元件还包含第一电接触区位于第一区域之上；以及第二电接触区位于第二半导体层之上，其中第二半导体层的侧向电阻值大于第一半导体层的侧向电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 发光 元件 光源 产生 装置 背光 模块 | ||
【主权项】：
一种阵列式发光元件，包含：多个发光元件，任一该发光元件包含：第一半导体层，包含第一边以及相对且远离该第一边的第二边；第二半导体层，位于该第一半导体层之上；第一电接触区，位于该第一半导体层之上且邻近该第一边；以及第二电接触区，位于该第二半导体层之上且邻近该第二边，其中该第二半导体层的侧向电阻值大于该第一半导体层的侧向电阻值，且该第二边的边长小于该第一边的边长。
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