[发明专利]半导体晶圆保持保护用粘合片、半导体晶圆的背面磨削方法无效
| 申请号： | 201010249245.X | 申请日： | 2010-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101993668A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木贵俊;浅井文辉;水野浩二 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;C09J133/08;C09J4/06;C09J4/02;H01L21/68;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供一种半导体晶圆保持保护用粘合片及半导体晶圆的背面磨削方法，该粘合片能够有效地防止因近年来半导体晶圆的电路图案等的形成面中的凹凸引起的残胶。一种半导体晶圆保持保护用粘合片，其是用于粘附在半导体晶圆(20)表面来保持保护半导体晶圆(20)的粘合片(10)，在基材层(12)的单面配置有粘合剂层(11)，粘合层(11)的厚度为4～42μm，且25℃下的弹性模量为0.5～9MPa。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 保持 保护 粘合 背面 磨削 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆保持保护用粘合片，其特征在于，该粘合片用于粘附在半导体晶圆表面来保持保护半导体晶圆，在基材层的单面配置有粘合剂层，所述粘合层的厚度为4～42μm，且25℃下的弹性模量为0.5～9MPa。
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