[发明专利]确定光电二极管的耗尽区时间常数的方法和改善残像的方法有效
| 申请号： | 201010249476.0 | 申请日： | 2010-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101894195A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 余泳 | 申请（专利权）人： | 昆山锐芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 215300 江苏省昆山市开发*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种确定光电二极管的耗尽区时间常数的方法和改善残像的方法，包括：建立光电二极管耗尽区的电路模型；对所述电路模型进行仿真，获得所述电路模型的仿真RC时间常数；将所述仿真RC时间常数作为光电二极管耗尽区的真实RC时间常数。所述真实RC时间常数可以用于优化复位晶体管的复位脉冲时间宽度和传输晶体管的传输脉冲宽度，改善CMOS图像传感器的残像。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 光电二极管 耗尽 时间常数 方法 改善 | ||
【主权项】：
一种确定光电二极管的耗尽区时间常数的方法，其特征在于，包括：建立光电二极管耗尽区的电路模型；对所述电路模型进行仿真，获得所述电路模型的仿真RC时间常数；将所述仿真RC时间常数作为光电二极管耗尽区的真实RC时间常数。
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