[发明专利]硅抛光片的慢提拉红外干燥工艺无效
| 申请号： | 201010249534.X | 申请日： | 2010-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101975506A | 公开（公告）日： | 2011-02-16 |
| 发明（设计）人： | 焦志鹏;徐荣清;吴晓明 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | F26B7/00 | 分类号： | F26B7/00;F26B3/30;H01L21/00 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300384 天津市滨海高*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅抛光片的慢提拉红外干燥工艺。本工艺在硅抛光片进行RCA清洗后的慢提拉红外干燥步骤中，硅抛光片的提拉速度设定在1～2mm/s范围内。硅抛光片的红外干燥温度设定在100～120℃范围内；红外干燥时间设定在1～2min。本发明所产生的有益效果是：能有效的去除有机物，金属离子、颗粒的沾污，缩短清洗时间，提高产品品质，经实验后的检测数据证明，采取本工艺生产的硅抛光片，高于按原工艺离心甩干生产出的产品的各项技术参数。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 慢提拉 红外 干燥 工艺 | ||
【主权项】：
一种硅抛光片的慢提拉红外干燥工艺，其特征在于：硅抛光片的提拉速度设定在1～2mm/s范围内。
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