[发明专利]多层陶瓷超级电容器的制造方法和多层陶瓷超级电容器

摘要

本发明公开了一种多层陶瓷超级电容器的制造方法和多层陶瓷超级电容器，属于电容器领域。所述方法包括：采用反应磁控溅射工艺，在基板上溅射陶瓷介质层，加上掩模溅射金属内电极，移除掩模，再溅射陶瓷介质层，然后再加上掩模溅射金属内电极，然后移除掩模，再溅射陶瓷介质层，如此交替制作成多层陶瓷结构芯片，分别在该芯片引出金属内电极的两个相对侧面上溅射金属外电极，制成多层陶瓷超级电容器。本发明中的多层陶瓷超级电容器能量存储密度大，充放电时间短，漏电少，充放电均不会破坏或减少电容器的寿命，可靠性得到了保障。

主权项

一种多层陶瓷超级电容器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1：采用反应磁控溅射工艺，使用纯贱金属或纯贱金属合金靶材，在基板上溅射纯贱金属或纯贱金属合金，得到陶瓷介质层，然后循环执行步骤2至步骤7至少一遍；步骤2：将上一步得到的陶瓷介质层作为第一陶瓷介质层，加上第一掩模，使得待溅射的内电极的多条边中，其中一条边与所述第一陶瓷介质层的第一边缘靠齐，其余各条边与所述第一陶瓷介质层的其余各边缘之间均留出预设的留边量；步骤3：使用纯贵金属或纯贵金属合金靶材，在所述第一陶瓷介质层上溅射第一金属内电极；步骤4：移除所述第一掩模，使用纯贱金属或纯贱金属合金靶材，在所述第一金属内电极上溅射第二陶瓷介质层；步骤5：加上第二掩模，使得再次待溅射的内电极的多条边中，其中一条边与所述第二陶瓷介质层的第二边缘靠齐，其余各条边与所述第二陶瓷介质层的其余各边缘之间均留出预设的留边量；其中，所述第一边缘与第二边缘为相对的两个边缘；步骤6：使用纯贵金属或纯贵金属合金靶材，在所述第二陶瓷介质层上溅射第二金属内电极；步骤7：移除所述第二掩模，使用纯贱金属或纯贱金属合金靶材，在所述第二金属内电极上溅射第三陶瓷介质层；步骤8：所述循环结束后制得多层陶瓷结构芯片，其中，第一次得到的陶瓷介质层为底层陶瓷介质层，最后一次得到的陶瓷介质为顶层陶瓷介质层，使用纯贵金属或纯贵金属合金靶材，分别在所述多层陶瓷结构芯片引出金属内电极的两个相对侧面上溅射金属外电极，制成多层陶瓷超级电容器。