[发明专利]电光源用钼窄带的制备方法无效
| 申请号： | 201010250451.2 | 申请日： | 2010-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN102371272A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 吴彦 | 申请（专利权）人： | 吴彦 |
| 主分类号： | B21B1/22 | 分类号： | B21B1/22 |
| 代理公司： | 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 | 代理人： | 唐迅 |
| 地址： | 313200 浙江省湖州市德*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电光源用钼窄带的制备方法，包括采用钼丝经冷轧成钼窄带的生产过程，其特征是在钼丝经冷轧成钼窄带的生产过程中，其参数控制如下：a、钼丝的预处理：轧制过程中进行再结晶退火；b、温轧开坯：开坯温度在950℃至1000℃；c、冷轧：钼窄带的冷加工率分为：成品冷轧总加工率和中间冷轧总加工率，中间冷轧总加工率控制在60％；d、消除应力退火：钼窄带的退火温度在850～1100℃内。本发明提供的电光源用钼窄带的制备方法，劳动生产率高、成品率高，钼窄带不仅内部质量好、没有分层、裂纹等缺陷，而且表面光洁。 | ||
| 搜索关键词： | 光源 窄带 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电光源用钼窄带的制备方法，包括采用钼丝经冷轧成钼窄带的生产过程，其特征是在钼丝经冷轧成钼窄带的生产过程中，其参数控制如下：a、钼丝的预处理：轧制过程中进行再结晶退火；b、温轧开坯：开坯温度在950℃至1000℃；c、冷轧：钼窄带的冷加工率分为：成品冷轧总加工率和中间冷轧总加工率，中间冷轧总加工率控制在60％；d、消除应力退火：钼窄带的退火温度在850～1100℃内；e、检验：通过电光源材料检测设备检测。
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