[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010250596.2 | 申请日： | 2010-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102044613A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 丁焕熙;李尚烈;宋俊午;文智炯;崔光基 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;吴鹏章 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件可包括：发光结构、电极、反射层、导电支撑构件和沟道层。所述发光结构可包括多个化合物半导体层。所述电极可设置在所述化合物半导体层之上。所述反射层可设置在所述化合物半导体层之下。所述导电支撑构件可设置在所述反射层之下。所述沟道层可沿所述化合物半导体层的底部边缘设置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：导电支撑构件；设置在所述导电支撑构件上的反射层；设置在所述反射层上并与其接触的发光结构，所述发光结构包括：第一导电型半导体层、设置在所述第一导电型半导体层上的有源层和设置在所述有源层上的第二导电型半导体层；设置在所述发光结构上的电极；和沿所述发光结构的底部边缘设置的沟道层。
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