[发明专利]具区域保护层的发光二极管无效
| 申请号： | 201010250687.6 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102376838A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 江彦志 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具区域保护层的发光二极管。根据本发明一实施例的发光二极管，其包含一基板、一位于该基板之上的发光迭层、一位于该发光迭层之上的电极组以及一第一保护层。发光迭层至少包含一N型半导体层、一发光层以及一P型半导体层，而电极组包含一N型电极以及一P型电极。其中，N型半导体层包含一设置N型电极的外露区域，第一保护层分布于发光迭层与外露区域交界的侧壁，以覆盖并保护发光迭层侧壁中，P型半导体层以及N型半导体层间所形成的PN接面。因本发明的保护层为区域性覆盖，因此对于发光二极管亮度影响较小，且电极组的接线区域未有覆盖，因此打线接合力也未因电极组裸露面积减少而受到影响。 | ||
| 搜索关键词： | 区域 保护层 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具区域保护层的发光二极管，其特征在于，包含：一发光迭层，该发光迭层至少包含一N型半导体层、一发光层以及一P型半导体层，其中该N型半导体层还包含一外露区域；一位于该发光迭层之上的电极组；该电极组包含一N型电极以及一P型电极；以及一第一保护层，其中该第一保护层分布于该发光迭层对应于该N型电极的侧壁，以覆盖该P型半导体层以及该N型半导体间所形成的PN接面。
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