[发明专利]磁场传感器无效
| 申请号： | 201010251018.0 | 申请日： | 2010-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101937063A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 黄颖;陈忠志;贾晓钦;彭卓 | 申请（专利权）人： | 上海腾怡半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/07 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 邓琪 |
| 地址： | 201206 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁场传感器芯片，包括：磁阻传感器；霍尔传感器；控制集成电路，所述控制集成电路与所述霍尔传感器处于同一层，并围绕所述霍尔传感器，所述控制集成电路接收并处理所述磁阻传感器和霍尔传感器的输出信号。所述控制集成电路可包括电源偏置电路和信号处理电路，并可进一步包括时序控制电路和信号选通电路。所述磁场传感器可制作在钝化隔离层上。本发明的磁场传感器芯片可以检测三轴全向磁场变化，具有功耗低、面积小、灵敏度高、抗干扰能力强和输出波形稳定等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
一种磁场传感器芯片，包括：磁阻传感器；霍尔传感器；控制集成电路，所述控制集成电路与所述霍尔传感器处于同一层，并围绕所述霍尔传感器，所述控制集成电路接收并处理所述磁阻传感器和霍尔传感器的输出信号。
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