[发明专利]半导体材料及超硬材料线切割专用刃料颗粒成型的方法有效
申请号: | 201010251267.X | 申请日: | 2010-08-12 |
公开(公告)号: | CN101947483A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
发明(设计)人: | 杨东平 | 申请(专利权)人: | 河南醒狮高新技术股份有限公司 |
主分类号: | B02C15/00 | 分类号: | B02C15/00;B02C25/00 |
代理公司: | 郑州异开专利事务所(普通合伙) 41114 | 代理人: | 王霞 |
地址: | 450001 河南省郑*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体材料及超硬材料线切割专用刃料颗粒成型的方法,包括下述步骤:1、选取6H-SiC碳化硅或碳化硅复合金刚石超硬材料作为原料;2、将原料送入研磨机研磨;3、通过引风装置将研磨后的粉料进行一次分级,选出16微米以细颗粒进行二次分级,16微米以粗颗粒返回研磨机中继续研磨;4、经过二次分级,16-5微米成品颗粒被送至包装仓进行包装;5、微米以细颗粒作为副产品被送至旋风装置收集起来。本发明的颗粒成型方法既能满足目前半导体材料自由式多线切割对颗粒刃具产品的颗粒成型要求,也满足了固结线锯专用刃料颗粒的制备成型要求,为替代半导体材料自由式多线切割奠定了技术基础,成为低消耗、无污染的加工方式。 | ||
搜索关键词: | 半导体材料 材料 切割 专用 颗粒 成型 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体材料及超硬材料线切割专用刃料颗粒成型的方法,其特征在于:包括下述步骤:第一步:选取莫氏硬度≥9.3、结晶型体为6H‑SiC的碳化硅材料或莫氏硬度≥9.9~10的碳化硅复合金刚石超硬材料作为原料;第二步:将原料通过螺旋给料器送入风扫式研磨机进行研磨,控制给料速度700~3500kg/h,研磨介质级配为Φ50∶Φ40∶Φ30=0.4~0.6∶1∶0.5~0.7,数量11000‑40000Kg;第三步:通过引风装置将上述研磨后所得粉料送至分级系统进行一次分级,选出的16微米以细颗粒再进行二次分级,16微米以粗颗粒返回第二步的风扫式研磨机中继续研磨;第四步:通过对上述16微米以细颗粒进行二次分级,16‑5微米成品颗粒被送至包装仓进行包装;5微米以细颗粒作为副产品被送至旋风装置收集起来。
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