[发明专利]减小半导体器件中通孔尺寸的方法

摘要

本发明提供了一种减小半导体器件中通孔尺寸的方法，包括(a)提供前端器件结构，前端器件结构上具有层间介质层，层间介质层上具有硬掩膜层，硬掩膜层上形成有具有开口图案的光刻胶层，开口图案的尺寸L大于设定的通孔目标值D；(b)以光刻胶层为掩膜刻蚀硬掩膜层，将开口图案转移到硬掩膜层，直至露出部分层间介质层；(c)以光刻胶层为掩膜，采用与步骤(b)相同的刻蚀条件对硬掩膜层进行刻蚀，刻蚀时间＝A×(L-D)，A为一系数；(d)以光刻胶层为掩膜刻蚀层间介质层，以形成尺寸为目标值的通孔。根据本发明，能够减小半导体器件中通孔尺寸，且能够在实际生产中可以通过调整硬掩膜层的刻蚀时间来形成所需尺寸的通孔。

主权项

一种减小半导体器件中通孔尺寸的方法，包括：(a)提供前端器件结构，所述前端器件结构上具有层间介质层，所述层间介质层上具有硬掩膜层，所述硬掩膜层上形成有具有开口图案的光刻胶层，所述开口图案的尺寸L大于设定的通孔目标值D；(b)以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层，将所述开口图案转移到所述硬掩膜层，直至露出部分所述层间介质层；(c)以所述光刻胶层为掩膜，采用与步骤(b)相同的刻蚀条件对所述硬掩膜层进行刻蚀，刻蚀时间＝A×(L‑D)，其中A为一系数；和(d)以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述层间介质层，以形成尺寸为所述目标值的通孔。