[发明专利]一种消除自旋阀磁敏电阻磁滞的方法有效
申请号: | 201010251442.5 | 申请日: | 2010-08-10 |
公开(公告)号: | CN101964393A | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
发明(设计)人: | 钱正洪 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | H01L43/12 | 分类号: | H01L43/12;H01L43/08 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 杜军 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种消除自旋阀磁敏电阻磁滞的方法。现有的方法工艺复杂且不适合于工业化生产。本发明方法是在制备自旋阀磁敏电阻过程中,利用反铁磁材料对自由层两端进行钉扎,在自由层两端形成被钉扎区域;被钉扎区域与未被扎区域的分界线为直线段;分界线与磁敏电阻长轴垂直方向即被钉扎方向形成夹角,且自旋阀磁敏电阻中自由层两端分界线相对于长轴垂直方向的倾斜方向相同;自由层两端被钉扎区域的钉扎方向与自旋阀磁敏电阻中的被钉扎层的钉扎方向一致;钉扎方向与磁敏电阻长轴垂直方向一致。本发明方法可以有效地消除自旋阀磁敏电阻的磁滞,使之线性化,从而达到优化器件性能的效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 消除 自旋 阀磁敏 电阻 方法 | ||
【主权项】:
一种消除自旋阀磁敏电阻磁滞的方法,其特征在于该方法是在制备自旋阀磁敏电阻过程中,利用反铁磁材料对自由层两端进行钉扎,在自由层两端形成被钉扎区域;所述的被钉扎区域与未被扎区域的分界线为直线段;所述的分界线与磁敏电阻长轴垂直方向形成夹角Φ,0°<Φ<90°;且自旋阀磁敏电阻中自由层两端分界线相对于长轴垂直方向的倾斜方向相同;所述的自由层两端被钉扎区域的钉扎方向与自旋阀磁敏电阻中的被钉扎层的钉扎方向一致;所述的钉扎方向与磁敏电阻长轴垂直方向一致。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学,未经杭州电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010251442.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。