[发明专利]芯片层叠和3-D电路的热传导无效
| 申请号： | 201010251851.5 | 申请日： | 2010-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102097399A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | S·J·高尔;F·希伯特 | 申请（专利权）人： | 英特赛尔美国股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/48;H01L25/00;H01L21/02;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲;张东梅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种芯片层叠和3-D电路的热传导。一种半导体器件组件和方法可包括单个半导体层或层叠半导体层，例如半导体晶片或晶片部分(半导体管芯)。在每个半导体层上，穿过其中形成的金刚石层可有助于热的传送和消散。金刚石层可包括半导体层的后部上的第一部分和垂直延伸到半导体层内——例如，完全穿过半导体层——的一个或多个第二部分。然后可形成至金刚石层的热触点以使热传导而离开一个或多个半导体层。可穿过金刚石层形成导电通孔，以提供信号传送和散热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 层叠 电路 热传导 | ||
【主权项】：
一种半导体组件，包括：半导体层，所述半导体层包括前侧、后侧以及穿过其中从所述后侧延伸至所述前侧的开口；以及延伸穿过所述开口并且包括在所述半导体层的所述前侧的第一表面和在所述半导体层的所述后侧的第二表面的金刚石层。
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