[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 201010251861.9 | 申请日： | 2010-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102237133A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 崔宰源 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;黄启行 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储装置包括：电压传送单元，被配置为在第一操作时间段将多个字线控制电压中的第一字线控制电压传送给指定字线，而在第二操作时间段将所述多个字线控制电压中的第二字线控制电压传送给所述指定字线；以及字线放电单元，被配置为在所述第一操作时间段与所述第二操作时间段之间的放电时间段使所述字线放电到比接地电压高且比所述第一字线控制电压和所述第二字线控制电压低的电压电平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，包括：电压传送单元，所述电压传送单元被配置为在第一操作时间段将多个字线控制电压中的第一字线控制电压传送给指定字线，而在第二操作时间段将所述多个字线控制电压中的第二字线控制电压传送给所述指定字线；以及字线放电单元，所述字线放电单元被配置为在所述第一操作时间段与所述第二操作时间段之间的放电时间段期间，使所述字线放电到比接地电压高且比所述第一字线控制电压和所述第二字线控制电压低的电压电平。
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