[发明专利]一种凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管。本发明采用凹陷沟道和纵向扩散工艺，大大减小了器件尺寸，抑制了短沟道效应，并且在抑制漏致源端势垒降低的同时，也减小了器件结构中栅漏的寄生电容，提高了器件的响应频率，即在提高芯片集成度的同时增强了器件的响应频率。本发明还公开了该凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管的制造方法。

主权项

一种凹陷沟道的横向和纵向扩散型场效应晶体管，其特征在于包括：一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底底部的具有第二种掺杂类型的漏区；位于所述半导体衬底内的凹槽结构；覆盖在所述凹槽之内的栅区；位于所述半导体衬底内所述栅区的一侧的具有第二种掺杂类型的源区；位于所述源区之上的具有第一种掺杂类型的掺杂区；位于所述半导体衬底内所述栅区的非源区侧形成的具有第二种掺杂类型的漂移区；所述漂移区穿过衬底与漏区相连接。