[发明专利]光电转换元件无效
申请号: | 201010253232.X | 申请日: | 2010-08-11 |
公开(公告)号: | CN101964366A | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
发明(设计)人: | 侯智元;陈建宏 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/04;H01L31/08 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种光电转换元件,适于将一光线转换为一光电流。前述的光电转换元件包括一光转换层、一顶导电层以及一底导电层。光转换层具有一底平面、相对于底平面的一顶平面以及连接于底平面与顶平面之间的一光入射侧面,其中底平面与光入射侧面的夹角为θ,且64°≤θ≤79°。顶导电层配置于光转换层的顶平面上,而底导电层则配置于光转换层的底平面下。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 | ||
【主权项】:
一种光电转换元件,其特征在于,适于将一光线转换为一光电流,该光电转换元件包括:一光转换层,具有一底平面、相对于该底平面的一顶平面以及连接于该底平面与该顶平面之间的一光入射侧面,其中该底平面与该光入射侧面的夹角为θ,且64°≤θ≤79°;一顶导电层,配置于该光转换层的该顶平面上;以及一底导电层,配置于该光转换层的该底平面下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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