[发明专利]用于在半导体器件上制造电触点的方法

摘要

本发明涉及一种用于在半导体器件上制造电触点的方法，至少包括以下方法步骤：将用于形成触点的湿料以所期望的条状和/或者点状布置施加在该半导体器件的外表面上；通过将半导体器件加热到温度T1并且在T1温度下保持时间t1来将所述湿料干燥；通过将半导体器件加热到温度T2并且在一段时间t2期间将该半导体器件保持在T2温度下，来将干燥后的材料烧结；将半导体器件冷却到温度T3，该温度T3等于或大致等于室温，并且将半导体器件在T3温度下保持一段时间t3；将半导体器件冷却到温度T4且T4≤-35℃，并将半导体器件在T4温度下保持时间t4；然后将半导体器件加热到室温。

主权项

在半导体器件例如太阳能电池上制造条状和/或者点状导电触点的方法，至少包括以下方法步骤(f)将用于形成触点的湿料以所期望的条状和/或者点状布置施加在该半导体器件的至少一个外表面上，(g)通过将该半导体器件加热到温度T1并且在T1温度下保持一段时间t1来将所述湿料干燥，(h)通过将该半导体器件加热到温度T2并且在一段时间t2期间将该半导体器件保持在T2温度下，来将干燥后的材料烧结，(i)将该半导体器件冷却到温度T3，该温度T3等于或大致等于室温，并且将该半导体器件在T3温度下保持一段时间t3，(j)将该半导体器件冷却到温度T4且T4≤‑35℃，并且将该半导体器件在T4温度下保持一段时间t4，以及(k)将该半导体器件加热到室温。